IGBT, 60 A, 2.4 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Broche(s)

Le module IGW60T120FKSA1 est composé d'un transistor IGBT et d'une diode de récupération rapide intégrée, offrant des caractéristiques techniques avancées pour les applications de conversion de puissance haute tension et haute puissance. Voici les principales spécifications techniques :

• Tension de collecteur-émetteur (Vces): 1200 V

• Courant de collecteur continu (Ic): 60 A

• Courant de collecteur crête (Icp): 120 A

• Tension de seuil de détection (VCE(sat)): 2.1 V (typique)

• Temps de commutation (tq, tr, tf): Rapide, adapté aux hautes fréquences de commutation

• Diode de récupération rapide intégrée pour une commutation rapide et une faible perte d'énergie

• Boîtier compact et robuste pour une dissipation thermique optimale

• Protection contre les surtensions, les surintensités et les températures élevées pour une fiabilité accrue

• Conception adaptée aux environnements industriels exigeants