ANALYSEUR DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS

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DCA75

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ANALYSEUR DE COMPOSANTS SEMI-CONDUCTEURS

PEAK

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Le Pro DCA est doté d'un nouvel design avancé et offre des fonctionnalités comme un afficheur graphique, communication par USB, logiciel pour PC et une bibliothèque améliorée pour l'identification de composants.

Spécifications

  • Specification Summary at 20°C (68°F) unless otherwise specified
  • courant crête de court-circuit coupé: -5.5 mA jusqu'à 5.5 mA
  • tension crête de court-circuit permanent: -5.1 V jusqu'à 5.1 V
  • transistor:
    • plage de gain (HFE): 4 - 65 000
    • précision de gain: ± 3% ± 5 Hfe
    • tension maximale de collecteur-à-émetteur (VCEO): 2.0 V - 3.0 V
    • précision de tension base-émetteur VBE: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
    • tension base-émetteur VBE pour transistor Darlington (shunted): 0.95 V - 1.80 V (0.75 V - 1.80 V)
    • seuil de résistance shunt base-émetteur: 50 kΩ - 70 kΩ
    • courant de collecteur BJT: 2.45 mA - 2.55 mA
    • courant de fuite acceptable BJT: 0.7 mA
    • MOSFET:
      • plage de tension de grille-source: 0.1 V - 5.0 V
      • précision de seuil: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
      • courant drain: 2.45 mA - 255 mA
      • résistance de grille: 8 kΩ
    • courant du drain d'appauvrissement: 4.5 mA
    • courants drain-source JFET: 0.5 mA - 5.5 mA
  • thyristor/Triac:
    • courant de grille: 4.5 mA
    • courant de maintien: 5.0 mA
  • diode:
    • courant de test: 5.0 mA
    • précision de tension: -2% -20 mV jusqu'à +2% + 20 mV
    • tension directe pour identification LED: 1.50 V - 4.00 V
    • seuil de court-circuit: 10 Ω
  • batterie:
    • type: MN21 / L1028 / GP23A 12 V alkaline
    • plage de tension: 7.50 V - 12 V
    • seuil d'alarme: 8.25 V
  • dimensions: 103 x 70 x 20 mm (4.1" x 2.8" x 0.8")
  • Weight per product (nett): 0.098kg (3.5oz)
  • température de travail: 10°C ~ 40°C (50F ~ 104F)


Caractéristiques

  • usage autonome ou avec ordinateur
  • identification automatique des composants
  • identification automatique des broches de connexion
  • identification de particularités comme la détection des diodes de protection et la détection des résistances shunt
  • transistors bipolaires : mesure du gain en courant et de courant de fuite, détection à diode silicium et germanium
  • mesure de la tension de seuil pour les MOSFET à enrichissement
  • mesure de la tension directe pour diodes, LED et jonctions base-émetteur des transistors
  • extinction automatique et manuelle

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